Microchip TC4422EPA MOSFET Gate Driver 1, 9 A 8-Pin 18 V, PDIP

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB700.39

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB749.415

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 15 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 10THB140.078THB700.39
15 - 25THB136.574THB682.87
30 +THB134.476THB672.38

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
209-7722
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
TC4422EPA
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Product Type

Gate Driver

Output Current

9A

Pin Count

8

Fall Time

60ns

Package Type

PDIP

Number of Outputs

5

Driver Type

MOSFET

Rise Time

60ns

Minimum Supply Voltage

4.5V

Number of Drivers

1

Maximum Supply Voltage

18V

Minimum Operating Temperature

0°C

Maximum Operating Temperature

70°C

Height

4.06mm

Length

10.16mm

Series

TC4422

Width

6.6 mm

Standards/Approvals

No

Mount Type

Through Hole

Automotive Standard

No

The Microchip TC4422EPA has high current drivers capable of driving large MOSFETs and IGBTs. They are essentially immune to any form of upset except direct overvoltage or over-dissipation — they cannot be latched under any conditions within their power and voltage ratings; they are not subject to damage or improper operation when up to 5V of ground bounce is present on their ground terminals; they can accept, without either damage or logic upset, more than 1A inductive current of either polarity being forced back into their outputs. In addition, all terminals are fully protected against up to 4kV of electrostatic discharge. The TC4422EPA inputs may be driven directly from either TTL or CMOS (3V to 18V). In addition, 300mV of hysteresis is built into the input, providing noise immunity and allowing the device to be driven from slowly rising or falling waveforms.

Tough CMOS ™ Construction

High Peak Output Current

Fast Rise and Fall Times

Short Internal Delays

Low Output Impedance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง