STMicroelectronics MASTERGAN6TR, High Voltage 2, 16 A 35-Pin 21V, QFN

N
ดู Gate Drivers ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB557,118.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB596,115.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB185.706THB557,118.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
760-665
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MASTERGAN6TR
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

Gate Driver

Output Current

16A

Pin Count

35

Package Type

QFN

Fall Time

4ns

Number of Outputs

2

Driver Type

High Voltage

Rise Time

4ns

Minimum Supply Voltage

7.5V

Maximum Supply Voltage

21V

Number of Drivers

2

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Width

9mm

Length

9mm

Height

1mm

Series

MASTERGAN6

Mount Type

Surface

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
TH
The STMicroelectronics Advanced power system-in-package integrating two enhancement mode GaN transistors in a half-bridge configuration driven by a high-voltage, high frequency gate driver. The integrated power GaNs have typical RDS(ON) of 140 mΩ and 650 V drain source blocking voltage. It features linear regulators on both the lower and upper driving sections to optimize driving efficiency. The high side of the embedded gate driver can be supplied by the integrated bootstrap diode. The interlocking function avoids cross-conduction conditions. The Advanced driver section, thanks to small propagation delay, very short wake-up time, and short, minimum on-times, enables high frequency switching operation. The extended range of input pins as well as the remote signalling pin (FLT) allow easy interfacing with controllers, microcontrollers, or DSP units. The standby pin allows to reduce the power consumption of the device during inactive periods.

Power system-in-package integrating 650 V GaN transistors half-bridge with high-voltage gate driver

140 mΩ typ low-side and high-side RDS(ON) with IDS(MAX) = 10 A

Linear regulators to regulate high-side and low-side driver supply voltage

Overall driver’s propagation delay of 45 ns and 35 ns minimum Pulse

Very fast wake-up time of high-side driver

Externally adjustable turn-on resistors

UVLO protection on VCC and high-side driver supply voltage

Interlocking function

Dedicated pins for standby and shutdown with fault pin for remote signal

3.3 V to 15 V (typ.) compatible inputs with hysteresis and pull-down

Thermal shutdown protection

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง