STMicroelectronics L6388ED013TR High Side Gate Driver 2, 650 mA 8-Pin 17 V, SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Gate Drivers ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 5 ชิ้น)*

THB364.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB390.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 2,485 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
5 - 45THB72.99THB364.95
50 - 95THB70.80THB354.00
100 - 495THB67.966THB339.83
500 - 995THB64.566THB322.83
1000 +THB60.692THB303.46

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
152-017
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
L6388ED013TR
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

Gate Driver Module

Output Current

650mA

Pin Count

8

Package Type

SO-8

Fall Time

40ns

Driver Type

High Side

Number of Outputs

2

Rise Time

70ns

Minimum Supply Voltage

17V

Number of Drivers

2

Maximum Supply Voltage

17V

Minimum Operating Temperature

-45°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

L6388ED013TR

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Mount Type

Surface

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics high voltage gate driver, manufactured with the BCD “offline” technology, and able to drive a half-bridge of power MOSFET/IGBT devices. The high-side (floating) section is enabled to work with voltage rail up to 600 V. Both device outputs can sink and source 650 mA and 400 mA respectively and cannot be simultaneously driven high thanks to an integrated interlocking function. Further prevention from outputs cross conduction is guaranteed by the dead time function.

Internal bootstrap diode

Outputs in phase with inputs

Dead time and interlocking function

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง