Infineon 4 kB FRAM 8-Pin SOIC, FM24C04B-GTR

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู FRAM Memory ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB265.53

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB284.115

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 4,060 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 06 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 620THB53.106THB265.53
625 - 1245THB51.78THB258.90
1250 +THB50.98THB254.90

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
215-5779
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FM24C04B-GTR
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

FRAM

Memory Size

4kB

Data Bus Width

8bit

Maximum Random Access Time

10ns

Mount Type

Surface

Maximum Clock Frequency

1MHz

Package Type

SOIC

Pin Count

8

Length

4.97mm

Height

1.48mm

Standards/Approvals

No

Maximum Operating Temperature

85°C

Number of Bits per Word

8

Minimum Supply Voltage

4.5V

Number of Words

512

Maximum Supply Voltage

5.5V

Automotive Standard

AEC-Q100

Minimum Operating Temperature

-40°C

The Cypress Semiconductor FM24C04B is a 4-Kbit non-volatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 151 years while eliminating the complexities, overhead, and system-level reliability problems caused by EEPROM and other non-volatile memories.

4-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 512 x 8

High-endurance 100 trillion (1014) read/writes

151-year data retention

NoDelay™ writes

Advanced high-reliability ferroelectric process

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง