Infineon NOR 1 GB Parallel GL-T MIRRORBITTM Flash Parallel 48-Pin TSOP-56

RS Stock No.:: 273-5429
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: S29GL01GT10FHI010
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon NOR 1 GB Parallel GL-T MIRRORBITTM Flash Parallel 48-Pin TSOP-56

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB514.24

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB550.24

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

เพิ่มอีก 5 ชิ้น เพื่อรับการจัดส่งฟรี

คำสั่งซื้อมูลค่าต่ำกว่า THB2,500.00 (ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม) ค่าจัดส่งเพียง THB250.00

มีในสต็อก

32 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB514.24
10 - 24	THB485.72
25 - 49	THB473.05
50 - 74	THB463.54
75 +	THB454.48

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 273-5429
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: S29GL01GT10FHI010
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Memory Size	1GB
	Product Type	GL-T MIRRORBITTM Flash Parallel
	Interface Type	Parallel
	Package Type	TSOP-56
	Pin Count	48
	Organisation	120MB
	Maximum Clock Frequency	5MHz
	Cell Type	NOR
	Minimum Supply Voltage	2.7V
	Maximum Supply Voltage	3.6V
	Timing Type	Asynchronous
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	125°C
	Standards/Approvals	No
	Maximum Random Access Time	130ns
	Number of Bits per Word	16
	Automotive Standard	AEC-Q100 Grade 2 & 3
	Supply Current	100mA
	Series	S29GL

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Memory Size 1GB
	Product Type GL-T MIRRORBITTM Flash Parallel
	Interface Type Parallel
	Package Type TSOP-56
	Pin Count 48
	Organisation 120MB
	Maximum Clock Frequency 5MHz
	Cell Type NOR
	Minimum Supply Voltage 2.7V
	Maximum Supply Voltage 3.6V
	Timing Type Asynchronous
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 125°C
	Standards/Approvals No
	Maximum Random Access Time 130ns
	Number of Bits per Word 16
	Automotive Standard AEC-Q100 Grade 2 & 3
	Supply Current 100mA
	Series S29GL

Datasheet - S29GL01GT10FHI010

The Infineon Flash Memory is fabricated on 45 nm process technology. These devices offer a fast page access time as fast as 15 ns, with a corresponding random access time as fast as 100 ns. They feature a write buffer that allows a maximum of 256 words or 512 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms.

20 year data retention

Advanced sector protection

512 byte programming buffer

100000 program and erase cycles

Asynchronous 32 byte page read

Common flash interface parameter table

Infineon NOR 1 GB Parallel GL-T MIRRORBITTM Flash Parallel 48-Pin TSOP-56

เพิ่มอีก 5 ชิ้น เพื่อรับการจัดส่งฟรี

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง

Recently viewed