Infineon NOR 512Mbit CFI Flash Memory 64-Pin BGA, S29GL512T11FHIV20
- RS Stock No.:
- 193-8914P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- S29GL512T11FHIV20
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 45 ชิ้น (จัดส่งในถาด)*
THB14,244.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB15,241.95
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 59 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 45 - 89 | THB316.55 |
| 90 + | THB311.68 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 193-8914P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- S29GL512T11FHIV20
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Memory Size | 512Mbit | |
| Interface Type | CFI | |
| Package Type | BGA | |
| Pin Count | 64 | |
| Organisation | 64M x 8 bit | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Cell Type | NOR | |
| Minimum Operating Supply Voltage | 2.7 V | |
| Maximum Operating Supply Voltage | 3.6 V | |
| Dimensions | 13 x 11 x 1mm | |
| Maximum Operating Temperature | +85 °C | |
| Number of Bits per Word | 8bit | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| Maximum Random Access Time | 110ns | |
| Number of Words | 64M | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Memory Size 512Mbit | ||
Interface Type CFI | ||
Package Type BGA | ||
Pin Count 64 | ||
Organisation 64M x 8 bit | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Cell Type NOR | ||
Minimum Operating Supply Voltage 2.7 V | ||
Maximum Operating Supply Voltage 3.6 V | ||
Dimensions 13 x 11 x 1mm | ||
Maximum Operating Temperature +85 °C | ||
Number of Bits per Word 8bit | ||
Minimum Operating Temperature -40 °C | ||
Maximum Random Access Time 110ns | ||
Number of Words 64M | ||
63 nm MirrorBit Eclipse Technology
Single supply (VCC) for read / program / erase (2.7 V to 3.6 V)
Versatile I/O feature
Wide I/O voltage range (VIO): 1.65 V to VCC
x8/x16 data bus
Asynchronous 32-byte Page read
512-byte Programming Buffer
Programming in 12 bytes
Single word and multiple program on same word options
Automatic Error Checking and Correction (ECC) internal hardware ECC with single bit error correction
Sector Erase
Uniform 128-KB sectors
Suspend and Resume commands for Program and Erase operations
Status Register, Data Polling and Ready/Busy pin methods to determine device status
Advanced Sector Protection (ASP)
Volatile and non-volatile protection methods for each sector
Separate 2048-byte One-Time Program (OTP) array
Four lockable regions (SSR0 - SSR3)
SSR0 is Factory Locked
SSR3 is Password Read Protect
Common Flash Interface (CFI) parameter table
Temperature Range / Grade:
Industrial (-40 °C to +85 °C)
Industrial Plus (-40 °C to +105 °C)
Extended (-40 °C to +125 °C)
100,000 Program / Erase Cycles
20-year data retention፤
Single supply (VCC) for read / program / erase (2.7 V to 3.6 V)
Versatile I/O feature
Wide I/O voltage range (VIO): 1.65 V to VCC
x8/x16 data bus
Asynchronous 32-byte Page read
512-byte Programming Buffer
Programming in 12 bytes
Single word and multiple program on same word options
Automatic Error Checking and Correction (ECC) internal hardware ECC with single bit error correction
Sector Erase
Uniform 128-KB sectors
Suspend and Resume commands for Program and Erase operations
Status Register, Data Polling and Ready/Busy pin methods to determine device status
Advanced Sector Protection (ASP)
Volatile and non-volatile protection methods for each sector
Separate 2048-byte One-Time Program (OTP) array
Four lockable regions (SSR0 - SSR3)
SSR0 is Factory Locked
SSR3 is Password Read Protect
Common Flash Interface (CFI) parameter table
Temperature Range / Grade:
Industrial (-40 °C to +85 °C)
Industrial Plus (-40 °C to +105 °C)
Extended (-40 °C to +125 °C)
100,000 Program / Erase Cycles
20-year data retention፤
