Infineon NOR 8 MB CFI Flash Memory 48-Pin TSOP, S29AL008J70TFI013

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Flash Memory ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB446.79

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB478.065

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
คำสั่งซื้อมูลค่าต่ำกว่า THB2,500.00 (ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม) ค่าจัดส่งเพียง THB250.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 970 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 245THB89.358THB446.79
250 - 495THB87.128THB435.64
500 +THB85.786THB428.93

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
193-8785
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
S29AL008J70TFI013
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

Flash Memory

Memory Size

8MB

Interface Type

CFI

Package Type

TSOP

Pin Count

48

Organisation

1M x 8 Bit

Mount Type

Surface

Cell Type

NOR

Maximum Supply Voltage

3.6V

Minimum Supply Voltage

2.7V

Timing Type

Asynchronous

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

85°C

Standards/Approvals

No

Height

1.05mm

Width

12 mm

Length

12mm

Number of Bits per Word

8

Automotive Standard

AEC-Q100

Number of Words

1M

Series

S29AL008J

Maximum Random Access Time

70ns

Supply Current

20mA

COO (Country of Origin):
TH
The S29AL008J is a 8 Mbit, 3.0 Volt-only Flash memory organized as 1,048,576 bytes or 524,288 words. The device is offered in 48-ball Fine-pitch BGA (0.8 mm pitch) and 48pin TSOP packages. The word-wide data (x16) appears on DQ15–DQ0, the byte-wide (x8) data appears on DQ7–DQ0. This device is designed to be programmed in-system with the standard system 3.0 volt VCC supply. A 12.0 V VPP or 5.0 VCC are not required for write or erase operations. The device can also be programmed in standard EPROM programmers.

The device offers access times of up to 55 ns allowing high speed microprocessors to operate without wait states. To eliminate bus contention the device has separate chip enable (CE#), write enable (WE#) and output enable (OE#) controls.

Device programming occurs by executing the program command sequence. This initiates the Embedded Program algorithm an internal algorithm that automatically times the program pulse widths and verifies proper cell margin. The Unlock Bypass mode facilitates faster programming times by requiring only two write cycles to program data instead of four.

Device erasure occurs by executing the erase command sequence. This initiates the Embedded Erase algorithm an internal algorithm that automatically preprograms the array (if it is not already programmed) before executing the erase operation. Duringerase, the device automatically times the erase pulse widths and verifies proper cell margin. The host system can detect whether a program or erase operation is complete by observing the RY/BY# pin, or by reading the DQ7(Data# Polling) and DQ6 (toggle) status bits. After a program or erase cycle has been completed, the device is ready to read array data or accept another command.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง