Alliance Memory NOR 128Mbit Serial Flash Memory 8-Pin SOP, AS25F3128MQ-6SINTR
- RS Stock No.:
- 338-524
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AS25F3128MQ-6SINTR
- ผู้ผลิต:
- Alliance Memory
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB176,798.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB189,174.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 + | THB88.399 | THB176,798.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 338-524
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AS25F3128MQ-6SINTR
- ผู้ผลิต:
- Alliance Memory
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Alliance Memory | |
| Memory Size | 128Mbit | |
| Interface Type | Serial | |
| Package Type | SOP | |
| Pin Count | 8 | |
| Cell Type | NOR | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Alliance Memory | ||
Memory Size 128Mbit | ||
Interface Type Serial | ||
Package Type SOP | ||
Pin Count 8 | ||
Cell Type NOR | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
The Alliance Memory 128M-bit interface Flash memory device designed for operating on a single power supply from 2.7 to 3.6V with current consumption as low as
0.2μA at deep power down in which program code is shadowed from Flash memory into embedded or external RAM for execution. The flexible erase architecture of the device with its page erase granularity is ideal for data storage as well, eliminating the need for additional data storage devices. There are 65,536 programmable pages (256-Bytes each) configured in the device and up to 256 Bytes can be programmed at a time. The groups of 16 (4KB sector erase), groups of 128 (32KB block erase), groups of 256 (64KB block erase) or the entire chip (chip erase) allow Pages to be erased. The device has 4,096 erasable sectors and 256 erasable blocks respectively. The small 4KB sectors afford greater flexibility for applications requiring data and parameter to be stored.
0.2μA at deep power down in which program code is shadowed from Flash memory into embedded or external RAM for execution. The flexible erase architecture of the device with its page erase granularity is ideal for data storage as well, eliminating the need for additional data storage devices. There are 65,536 programmable pages (256-Bytes each) configured in the device and up to 256 Bytes can be programmed at a time. The groups of 16 (4KB sector erase), groups of 128 (32KB block erase), groups of 256 (64KB block erase) or the entire chip (chip erase) allow Pages to be erased. The device has 4,096 erasable sectors and 256 erasable blocks respectively. The small 4KB sectors afford greater flexibility for applications requiring data and parameter to be stored.
Speed 166MHz
Active read current max 4mA
Program current max 15mA
Erase current max 15mA
8p SOP package 208mils
Active read current max 4mA
Program current max 15mA
Erase current max 15mA
8p SOP package 208mils
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Alliance Memory NOR 128Mbit Serial Flash Memory 8-Pin SOP, AS25F3128MQ-6SIN
- Alliance Memory NOR 128Mbit Serial Flash Memory 8-Pin WSON, AS25F3128MQ-6WINTR
- Macronix NOR 128Mbit Serial Flash Memory 16-Pin SOP, MX25L12845EMI-10G
- Alliance Memory NOR 128Mbit SPI Flash Memory 8-Pin SOP, AS25F1128MQ-70SIN
- Alliance Memory NOR 128Mbit SPI Flash Memory 8-Pin WSON, AS25F1128MQ-70WIN
- Alliance Memory NOR 64MB Serial Flash Memory 8-Pin 8L WSON, AS25F364MQ-10WINTR
- Alliance Memory NOR 4MB Serial Flash Memory 8-Pin SOIC, AS25F304MD-10S1INR
- Alliance Memory NOR 16MB Serial Flash Memory 8-Pin SOIC, AS25F316MQ-10S1INTR
