Microchip, 64 kB Parallel EEPROM, 120 ns 32-Pin PLCC Parallel

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย 8 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*

THB1,749.16

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,871.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 82 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
8 - 14THB218.645
16 +THB215.29

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
177-1655P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
AT28HC64BF-12JU
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Product Type

Parallel EEPROM

Memory Size

64kB

Interface Type

Parallel

Package Type

PLCC

Mount Type

Surface

Pin Count

32

Organisation

8K x 8 bit

Maximum Clock Frequency

5MHz

Minimum Supply Voltage

4.5V

Maximum Supply Voltage

5.5V

Number of Bits per Word

8

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

85°C

Width

10.3 mm

Series

AT28HC64BF

Height

3.5mm

Length

12.5mm

Standards/Approvals

No

Data Retention

10year

Supply Current

40mA

Number of Words

8192

Automotive Standard

No

Maximum Random Access Time

120ns

COO (Country of Origin):
TW
The Microchip AT28HC64BF is a high-performance 64Kbit Parallel EEPROM offering access times to 55ns with power dissipation of 220mW. Deselected, CMOS standby current is less than 100μA. Accessed like static RAM for the read or write cycle without external components, it contains a 64-byte page register to allow writing of up to 64 bytes simultaneously. Optional Software Data Protection mechanism guards against inadvertent writes, and an extra 64 bytes of EEPROM enables device identification or tracking.

Additional Features:

8 Kbits x 8 (64 Kbit)

5 V ±10% Supply

Parallel Interface

70ns access time Self-Timed Erase and Write Cycles

Page Write and Byte Write

Data Polling for end of write detection

2 ms Maximum Option

Low Power Consumption:

Read / Write current 40 mA (Max)

Standby current TTL 2 mA (Max), CMOS 100 μA (Max)

Write-Protection

Hardware Protection

Software Data Protect

More than 100,000 erase/write cycles

Data retention > 10 years