STMicroelectronics M24256-DRMF8TG/K, 256 kB EEPROM, 900 ns 8-Pin WFDFN I2C

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB43,832.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB46,900.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 +THB17.533THB43,832.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
734-038
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
M24256-DRMF8TG/K
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Memory Size

256kB

Product Type

EEPROM

Interface Type

I2C

Package Type

WFDFN

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Clock Frequency

400kHz

Minimum Supply Voltage

1.7V

Maximum Supply Voltage

5.5V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

105°C

Length

3.1mm

Standards/Approvals

RoHs Compliant

Height

0.8mm

Series

M24256-DRE

Maximum Random Access Time

900ns

Data Retention

200year

Automotive Standard

AEC-Q100-002

Supply Current

2mA

COO (Country of Origin):
PH
The STMicroelectronics EEPROM is a robust non-volatile memory device designed for automotive and industrial environments. It operates with a simple I2C compatible Interface up to 1 MHz and ensures reliable data storage even at extended temperatures up to 105 °C. With Advanced endurance and long-term data retention, it is well suited for safety-critical and harsh applications requiring secure memory solutions.

Memory array capacity of 256 Kbits equal to 32 Kbytes

Page size of 64 bytes with an additional write lockable identification page

Extended operating temperature range from minus 40 °C to 105 °C and supply voltage range from 1.7 V to 5.5 V

Schmitt trigger inputs for effective noise filtering

Byte and page write cycle time within 4 MS

Write cycle endurance of 4 million at 25 °C 1.2 million at 85 °C and 900000 at 105 °C

Data retention of more than 50 years at 105 °C and 200 years at 55 °C

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง