STMicroelectronics M24256E-FDW6TP, 256 kB EEPROM, 450 ns 8-Pin TSSOP-8 I2C

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 20 ชิ้น)*

THB166.82

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB178.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 3,760 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 15 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
20 - 180THB8.341THB166.82
200 - 480THB7.917THB158.34
500 - 980THB7.334THB146.68
1000 - 1980THB6.751THB135.02
2000 +THB6.504THB130.08

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
151-722
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
M24256E-FDW6TP
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Memory Size

256kB

Product Type

EEPROM

Interface Type

I2C

Package Type

TSSOP-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Organisation

32K x 8 Bit

Maximum Clock Frequency

1MHz

Minimum Supply Voltage

1.65V

Number of Bits per Word

8

Maximum Supply Voltage

5.5V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

85°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

6mm

Width

4.9 mm

Series

M24256E-F

Height

1.75mm

Maximum Random Access Time

450ns

Automotive Standard

No

Data Retention

200year

Number of Words

2

Supply Current

1mA

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics M24256E-F is a 256-Kbit I2C-compatible EEPROM (electrically erasable programmable read only memory)organized as 32 K x 8 bits. It offers an additional page of 64 bytes, named identification page, which can be used to store sensitive application parameters which can be (later) permanently locked in read-only mode.

Random and sequential read modes

Write protection of the whole memory array

Configurable device address

Preprogrammed device address (on demand)

Enhanced ESD or latch-up protection

More than 4 million write cycles

More than 200-year data retention