Hex SiC N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V, 28-Pin Module Wolfspeed CCS020M12CM2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ไม่พร้อมจำหน่าย
RS จะไม่สต็อกสินค้านี้อีกต่อไป
RS Stock No.:
916-3888
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
CCS020M12CM2
ผู้ผลิต:
Wolfspeed
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Wolfspeed

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

29 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

Module

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

28

Maximum Drain Source Resistance

208 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.7V

Maximum Power Dissipation

167 W

Transistor Configuration

3 Phase

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +25 V

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

6

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

61.5 nC @ 20 V, 61.5 nC @ 5 V

Length

108mm

Width

47mm

Height

17mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Forward Diode Voltage

2.3V

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules


Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.

• MOSFET turn-off tail current and diode reverse recovery current are effectively zero.
• Ultra low loss high-frequency operation
• Ease of paralleling due to SiC characteristics
• Normally-off, fail-safe operation
• Copper baseplate and aluminium nitride insulator reduce thermal requirements

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.



MOSFET Transistors, Wolfspeed