Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 9.3 A, 9.6 A, 35 V, 3-Pin DPAK Diodes Inc DMG4511SK4-13

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

7440 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)

ราคา / Price Each (Supplied on a Reel) Quantities below 150 on continuous strip

THB22.419

(exc. VAT)

THB23.988

(inc. VAT)

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N, P
Maximum Continuous Drain Current	9.3 A, 9.6 A
Maximum Drain Source Voltage	35 V
Package Type	DPAK (TO-252)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	65 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	3V
Maximum Power Dissipation	8.9 W
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	6.2mm
Length	6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs	18.7 nC @ 10 V, 19.2 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip	2
Transistor Material	Si
Height	2.39mm
Forward Diode Voltage	1.2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C