N-Channel MOSFET, 20 A, 500 V, 3-Pin TO-247 IXYS IXFH20N50P3
- RS Stock No.:
- 802-4363
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH20N50P3
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- IXYS
สินค้าหมดและไม่สามารถสั่งซื้อล่วงหน้าได้ในขณะนี้
ขออภัย เราไม่มีสินค้าในสต็อกและไม่สามารถสั่งซื้อล่วงหน้าได้ในขณะนี้
เพิ่ม / Added
ราคา / Price Each: (In a Pack of 2)
THB203.625
(exc. VAT)
THB217.879
(inc. VAT)
| Units | Per unit | Per Pack* |
| 2 - 6 | THB203.625 | THB407.25 |
| 8 - 14 | THB198.535 | THB397.07 |
| 16 + | THB195.475 | THB390.95 |
| *ตัวบ่งบอกราคา / price indicative | ||
- RS Stock No.:
- 802-4363
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH20N50P3
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- IXYS
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
คุณสมบัติ | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Series | HiperFET, Polar3 |
| Package Type | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 300 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Power Dissipation | 380 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Length | 16.26mm |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Width | 5.3mm |
| Height | 21.46mm |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |