N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK12A60W,S5VX(J
- RS Stock No.:
- 799-5003
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK12A60W,S5VX(J
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- Toshiba
มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)
เพิ่ม / Added
ราคา / Price Each: (In a Pack of 5)
THB53.33
(exc. VAT)
THB57.06
(inc. VAT)
| Units | Per unit | Per Pack* |
| 5 - 20 | THB53.33 | THB266.65 |
| 25 - 120 | THB52.264 | THB261.32 |
| 125 - 245 | THB51.218 | THB256.09 |
| 250 - 495 | THB50.192 | THB250.96 |
| 500 + | THB49.19 | THB245.95 |
| *ตัวบ่งบอกราคา / price indicative | ||
- RS Stock No.:
- 799-5003
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK12A60W,S5VX(J
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- Toshiba
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
- COO (Country of Origin):
- MY
รายละเอียดสินค้า / Product Details
MOSFET Transistors, Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
คุณสมบัติ | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 11.5 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Package Type | TO-220SIS |
| Series | DTMOSIV |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 300 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
| Maximum Power Dissipation | 35 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Width | 4.5mm |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Length | 10mm |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Height | 15mm |