onsemi 2N7002 Type N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 2N7002

RS Stock No.:: 671-0312P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: 2N7002
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi 2N7002 Type N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 2N7002

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย 760 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*

THB5,321.52

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,693.92

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

5,900 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
760 - 1480	THB7.002
1500 +	THB6.894

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 671-0312P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: 2N7002
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	115mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-23
	Series	2N7002
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	200mW
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	223nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.93mm
	Width	1.3 mm
	Length	2.92mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
	Distrelec Product Id	30408906

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 115mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-23
	Series 2N7002
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 200mW
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 223nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.93mm
	Width 1.3 mm
	Length 2.92mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
	Distrelec Product Id 30408906

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.