ROHM RD3L080SN Type N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 264-3811P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3L080SNTL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 50 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB1,585.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,696.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 60 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 50 - 90 | THB31.718 |
| 100 - 240 | THB25.246 |
| 250 - 990 | THB24.726 |
| 1000 + | THB16.458 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-3811P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3L080SNTL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | RD3L080SN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 80mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 15W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series RD3L080SN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 15W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals Pb-free lead plating, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The ROHM power MOSFET with low on resistance, suitable for switching, it is drive circuits can be simple and Pb-free plating and RoHS compliant.
Fast switching speed
Parallel use is easy
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RD3L080SN Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3L080SN Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3L080SNTL1
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK8S06K3L
- ROHM RD3L050SN Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3L04BBKHRBTL
- ROHM RD3L050SN Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3L050SNTL1
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252