Infineon ISZ230N10 Type N-Channel MOSFET, 31 A, 100 V, 8-Pin TSDSON ISZ230N10NM6ATMA1
- RS Stock No.:
- 235-4884
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISZ230N10NM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB94,795.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB101,430.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB18.959 | THB94,795.00 |
| 10000 - 10000 | THB18.011 | THB90,055.00 |
| 15000 + | THB17.11 | THB85,550.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 235-4884
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISZ230N10NM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 31A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TSDSON | |
| Series | ISZ230N10 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.04mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 3.4mm | |
| Width | 1.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 31A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TSDSON | ||
Series ISZ230N10 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.04mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 3.4mm | ||
Width 1.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS™ 6 industrial power MOSFET 100V is designed for high switching frequency application such as telecom and server power supply, but also the Ideal choice for other applications such as solar, power tools and drones.
Lower and softer reverse recovery charge
Ideal for high switching frequency
High avalanche energy rating
RoHS compliant
Low conduction losses
Low switching losses
Environmentally friendly
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon ISZ230N10 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin TSDSON ISZ230N10NM6ATMA1
- Infineon ISZ080N10 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin TSDSON ISZ080N10NM6ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin TDSON ISC230N10NM6ATMA1
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 250 V N, 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 200 V N, 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 200 V N, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ067N06LS3GATMA1