onsemi NVH Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247

RS Stock No.:: 202-5745P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NVHL040N120SC1
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi NVH Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย 114 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*

THB92,437.47

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB98,908.11

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

658 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
114 - 224	THB810.855
226 +	THB798.38

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	TO-247
	Series	NVH
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	40mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Maximum Power Dissipation Pd	174W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	106nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	20.25mm
	Standards/Approvals	No
	Length	15.87mm
	Width	4.82 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type TO-247
	Series NVH
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Maximum Power Dissipation Pd 174W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 20.25mm
	Standards/Approvals No
	Length 15.87mm
	Width 4.82 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

onsemi NVH Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247−3L Silicon Carbide MOSFET, N-Channel, 1200 V, 40 mΩ, TO247-3L