onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET, 70 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL033N65S3HF
- RS Stock No.:
- 189-0397P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTHL033N65S3HF
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 8 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB3,462.16
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,704.48
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ขาดตลาด
- 411 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
สต็อกปัจจุบันของเรามีจำนวนจำกัด และซัพพลายเออร์ของเราคาดว่าสินค้าจะขาดแคลน
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 8 - 14 | THB432.77 |
| 15 + | THB426.10 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 189-0397P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTHL033N65S3HF
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | NTHL | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 33mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 188nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 20.82mm | |
| Length | 15.87mm | |
| Width | 4.82 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 70A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series NTHL | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 33mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 188nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 20.82mm | ||
Length 15.87mm | ||
Width 4.82 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.
700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 188 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1568 pF)
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 28 mΩ
Benefits
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Lower switching loss
Higher system reliability at low temperature operation
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products
Telecom power
Server power
EV charger
Solar / UPS