STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 188-8440P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD5N80K5
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 630 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB32,392.08
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB34,659.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
เพิ่มอีก 630 ชิ้น เพื่อรับการจัดส่งฟรี
มีในสต็อก
- 4,670 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 630 - 1240 | THB51.416 |
| 1250 + | THB50.626 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-8440P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD5N80K5
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.73Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 60W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.17mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Width | 6.2 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.73Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 60W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.17mm | ||
Length 6.6mm | ||
Width 6.2 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Industry’s lowest RDS(on) x area
Industry’s best FoM (figure of merit)
Ultra-low gate charge
Zener-protected
Applications
Switching applications