N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L Vishay Siliconix SiA106DJ-T1-GE3

RS Stock No.:: 178-3667
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiA106DJ-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L Vishay Siliconix SiA106DJ-T1-GE3

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 17/09/2024, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)

เพิ่ม / Added

ราคา / Price Each (On a Reel of 3000)

THB14.191

(exc. VAT)

THB15.184

(inc. VAT)

Units	Per unit	Per Reel*
3000 - 3000	THB14.191	THB42,573.00
6000 - 9000	THB13.765	THB41,295.00
12000 +	THB13.352	THB40,056.00
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3667
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiA106DJ-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Datasheet

Legislation and Compliance

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

COO (Country of Origin):: CN

รายละเอียดสินค้า / Product Details

TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Very low RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS – Qoss

For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.

คุณสมบัติ / Specifications

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	12 A
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Package Type	SC-70-6L
Series	TrenchFET
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	6
Maximum Drain Source Resistance	20 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	19 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs	8.9 nC @ 10 V
Width	1.35mm
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Length	2.2mm
Height	1mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Forward Diode Voltage	1.2V