Toshiba SSM6K403TU Type N-Channel Field Effect Transistor, 4.2 A, 20 V Enhancement, 6-Pin UF6 SSM6K403TU
- RS Stock No.:
- 171-2490P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SSM6K403TU
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 750 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB7,557.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,085.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1,400 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 750 - 1475 | THB10.076 |
| 1500 + | THB9.921 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 171-2490P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SSM6K403TU
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | Field Effect Transistor | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | UF6 | |
| Series | SSM6K403TU | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 66mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -0.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±10 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.7mm | |
| Length | 1.7mm | |
| Width | 2 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type Field Effect Transistor | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type UF6 | ||
Series SSM6K403TU | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 66mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -0.8V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±10 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.7mm | ||
Length 1.7mm | ||
Width 2 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
1.5V drive
Low ON-resistance: Ron = 66mΩ (max) (@VGS = 1.5V)
Ron = 43mΩ (max) (@VGS = 1.8V)
Ron = 32mΩ (max) (@VGS = 2.5V)
Ron = 28mΩ (max) (@VGS = 4.0V)