Infineon BSC030N08NS5 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- RS Stock No.:
- 170-2311
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC030N08NS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB180,455.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB193,085.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB36.091 | THB180,455.00 |
| 10000 - 15000 | THB35.008 | THB175,040.00 |
| 20000 + | THB33.958 | THB169,790.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 170-2311
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC030N08NS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | BSC030N08NS5 | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 139W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5.49mm | |
| Width | 6.35 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series BSC030N08NS5 | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 139W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5.49mm | ||
Width 6.35 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon BSC030N08NS5 is optiMOS 5 80 V power MOSFET, especially designed for synchronous rectification for telecom and server power supplies. In addition, the device can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapter.
Optimized for synchronous rectification
Ideal for high switching frequency
Output capacitance reduction of up to 44 %
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSC030N08NS5 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC030N08NS5ATMA1
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC040N08NS5 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC100N08S5N031ATMA1
- Infineon BSC040N08NS5 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC040N08NS5ATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC047N08NS3GATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON
