N-Channel MOSFET, 10 A, 40 V, 8-Pin HSMT ROHM RQ3G100GNTB

RS Stock No.:: 133-3295
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: RQ3G100GNTB
ผู้ผลิต / Manufacturer:: ROHM

N-Channel MOSFET, 10 A, 40 V, 8-Pin HSMT ROHM RQ3G100GNTB

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

สินค้าหมดและไม่สามารถสั่งซื้อล่วงหน้าได้ในขณะนี้

ขออภัย เราไม่มีสินค้าในสต็อกและไม่สามารถสั่งซื้อล่วงหน้าได้ในขณะนี้

เพิ่ม / Added

ราคา / Price Each: (In a Pack of 25)

THB15.51

(exc. VAT)

THB16.60

(inc. VAT)

Units	Per unit	Per Pack*
25 - 100	THB15.51	THB387.75
125 - 225	THB15.122	THB378.05
250 - 1225	THB14.744	THB368.60
1250 - 2475	THB14.375	THB359.375
2500 +	THB14.016	THB350.40
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 133-3295
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: RQ3G100GNTB
ผู้ผลิต / Manufacturer:: ROHM

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

COO (Country of Origin):: JP

รายละเอียดสินค้า / Product Details

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

คุณสมบัติ / Specifications

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	10 A
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Package Type	HSMT
Series	RQ3G100GN
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	18.3 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	1.2V
Maximum Power Dissipation	2 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs	8.4 nC @ 10 V
Length	3.3mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	1
Width	3.1mm
Forward Diode Voltage	1.2V
Height	0.85mm