การค้าหาล่าสุด / Recently searched

    N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRF60B217

    RS Stock No.:
    123-6144
    หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
    IRF60B217
    ผู้ผลิต / Manufacturer:
    Infineon
    Infineon

    รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

    ดู MOSFETs ทั้งหมด
    ผลิตภัณฑ์ที่เลิกผลิตแล้ว
    RS Stock No.:
    123-6144
    หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
    IRF60B217
    ผู้ผลิต / Manufacturer:
    Infineon

    ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets


    Legislation and Compliance


    รายละเอียดสินค้า / Product Details

    StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon


    Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.



    MOSFET Transistors, Infineon


    Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


    คุณสมบัติ / Specifications

    คุณสมบัติValue
    Channel TypeN
    Maximum Continuous Drain Current60 A
    Maximum Drain Source Voltage60 V
    Package TypeTO-220AB
    Mounting TypeThrough Hole
    Pin Count3
    Maximum Drain Source Resistance9 mΩ
    Channel ModeEnhancement
    Maximum Gate Threshold Voltage3.7V
    Minimum Gate Threshold Voltage2.1V
    Maximum Power Dissipation83 W
    Transistor ConfigurationSingle
    Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Typical Gate Charge @ Vgs44 nC @ 10 V
    Width4.83mm
    Number of Elements per Chip1
    Length10.67mm
    Maximum Operating Temperature+175 °C
    Transistor MaterialSi
    Forward Diode Voltage1.2V
    SeriesStrongIRFET
    Height16.51mm
    Minimum Operating Temperature-55 °C
    ผลิตภัณฑ์ที่เลิกผลิตแล้ว