ROHM R60 Type N-Channel MOSFET, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-223-3 R6002JND4TL1
- RS Stock No.:
- 264-855
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6002JND4TL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 25 ชิ้น)*
THB385.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB412.975
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | THB15.438 | THB385.95 |
| 100 - 225 | THB14.666 | THB366.65 |
| 250 - 475 | THB13.578 | THB339.45 |
| 500 - 975 | THB12.509 | THB312.73 |
| 1000 + | THB12.034 | THB300.85 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-855
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6002JND4TL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | SOT-223-3 | |
| Series | R60 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.25Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 6.6W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.0nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.7V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type SOT-223-3 | ||
Series R60 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.25Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 6.6W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.0nC | ||
Forward Voltage Vf 1.7V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM 600V 1A SOT-223-3 Presto MOS with integrated high-speed diode is a power MOSFET with fast reverse recovery time, suitable for the switching applications. Which increases design flexibility while maintaining the industry’s fastest reverse recovery time optimized for EV charging stations and motor drive in home appliances such as refrigerators and Air Conditioners (ACs).
Fast reverse recovery time
Low on-resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
Pb-free plating and RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 3-Pin SOT-223-3 R6003KND4TL1
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 3-Pin SOT-223-3 R6003JND4TL1
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 3-Pin SOT-223-3 R6006KND4TL1
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 3-Pin SOT-223-3 R6004END4TL1
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6027YNXC7G
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 R6027YNZ4C13
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 R6049YNZ4C13
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6049YNXC7G