Toshiba GT50J342,Q(O IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole
- RS Stock No.:
- 891-2740P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- GT50J342,Q(O
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 20 ชิ้น (จัดส่งในถุง)*
THB4,392.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,699.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 20 - 49 | THB219.60 |
| 50 - 99 | THB192.82 |
| 100 - 249 | THB189.11 |
| 250 + | THB185.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 891-2740P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- GT50J342,Q(O
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
- COO (Country of Origin):
- JP
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.