- RS Stock No.:
- 804-7616
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXDN55N120D1
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- IXYS
สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 24/06/2024, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)
เพิ่ม / Added
ราคา / Price Each
THB1,305.99
(exc. VAT)
THB1,397.41
(inc. VAT)
Units | Per unit |
1 - 2 | THB1,305.99 |
3 - 4 | THB1,273.33 |
5 + | THB1,253.75 |
- RS Stock No.:
- 804-7616
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXDN55N120D1
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- IXYS
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
คุณสมบัติ / Specifications
คุณสมบัติ | Value |
---|---|
Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 450 W |
Package Type | SOT-227B |
Mounting Type | Surface Mount |
Channel Type | N |
Pin Count | 4 |
Switching Speed | 1MHz |
Transistor Configuration | Single |
Dimensions | 38.2 x 25.07 x 9.6mm |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |