Fuji Electric 7MBR50VB-120-50 3 Phase Bridge IGBT Module, 50 A 1200 V, 24-Pin M712, Through Hole
- RS Stock No.:
- 110-9135
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 7MBR50VB-120-50
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- Fuji Electric
สินค้าหมดและไม่สามารถสั่งซื้อล่วงหน้าได้ในขณะนี้
ขออภัย เราไม่มีสินค้าในสต็อกและไม่สามารถสั่งซื้อล่วงหน้าได้ในขณะนี้
เพิ่ม / Added
ราคา / Price Each
THB5,048.42
(exc. VAT)
THB5,401.81
(inc. VAT)
| Units | Per unit |
| 1 - 1 | THB5,048.42 |
| 2 - 4 | THB4,922.21 |
| 5 - 9 | THB4,799.15 |
| 10 - 19 | THB4,679.17 |
| 20 + | THB4,562.19 |
- RS Stock No.:
- 110-9135
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 7MBR50VB-120-50
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- Fuji Electric
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
IGBT Modules 7-Pack, Fuji Electric
V-Series
For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
คุณสมบัติ / Specifications
คุณสมบัติ | Value |
|---|---|
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 280 W |
| Package Type | M712 |
| Configuration | 3 Phase Bridge |
| Mounting Type | Through Hole |
| Channel Type | N |
| Pin Count | 24 |
| Transistor Configuration | 3 Phase |
| Dimensions | 122 x 62 x 17mm |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |