Infineon FF1MR12MM1HB11BPSA1 MOSFET Gate Driver 2, 420 A 23 V, AG-ECONOD
- RS Stock No.:
- 351-898
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF1MR12MM1HB11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB38,339.78
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB41,023.56
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 10 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB38,339.78 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 351-898
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF1MR12MM1HB11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Gate Driver Module | |
| Output Current | 420A | |
| Package Type | AG-ECONOD | |
| Fall Time | 77ns | |
| Driver Type | MOSFET | |
| Rise Time | 261ns | |
| Minimum Supply Voltage | 10V | |
| Maximum Supply Voltage | 23V | |
| Number of Drivers | 2 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | FF1MR12MM1H_B11 | |
| Standards/Approvals | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Gate Driver Module | ||
Output Current 420A | ||
Package Type AG-ECONOD | ||
Fall Time 77ns | ||
Driver Type MOSFET | ||
Rise Time 261ns | ||
Minimum Supply Voltage 10V | ||
Maximum Supply Voltage 23V | ||
Number of Drivers 2 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series FF1MR12MM1H_B11 | ||
Standards/Approvals IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- HU
The Infineon EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V, 1.4 mΩ with enhanced generation 1, NTC and Press FIT contact technology. Also available with pre-applied Thermal Interface Material or with wave structure on the backside of the base plate for direct liquid cooling.
Low switching losses
Superior gate oxide reliability
Higher gate threshold voltage
Higher power output
Robust integrated body diode
High cosmic ray robustness
High speed switching module
Screw power terminals
Integrated NTC temperature sensor
Isolated baseplate
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon FF900R12ME7B11BOSA1 Dual IGBT, 900 A 1200 V AG-ECONOD
- Infineon FF900R12ME7B11NPSA1 IGBT, 900 A 1200 V AG-ECONOD-711
- Infineon FF600R07ME4B11BPSA1 IGBT 650 V AG-ECONOD-411
- Infineon FF450R12ME7B11BPSA1 Dual IGBT Module Chassis Mount
- Infineon FF750R12ME7B11BPSA1 Dual IGBT Module Chassis Mount
- Infineon FF600R12ME7B11BPSA1 Dual IGBT Module Chassis Mount
- Infineon FF300R12ME7B11BPSA1 Dual IGBT Module Chassis Mount
- Infineon FF600R12ME7BPSA1 600 A 1200 V AG-ECONOD, Through Hole
