P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Siliconix Si2319DDS-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 178-3853
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- Si2319DDS-T1-GE3
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- Vishay Siliconix
สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 30/08/2024, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)
เพิ่ม / Added
ราคา / Price Each: (In a Pack of 50)
THB14.213
(exc. VAT)
THB15.208
(inc. VAT)
| Units | Per unit | Per Pack* |
| 50 - 700 | THB14.213 | THB710.65 |
| 750 - 1450 | THB13.858 | THB692.90 |
| 1500 + | THB13.644 | THB682.20 |
| *ตัวบ่งบอกราคา / price indicative | ||
- RS Stock No.:
- 178-3853
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- Si2319DDS-T1-GE3
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- Vishay Siliconix
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้
- COO (Country of Origin):
- CN
รายละเอียดสินค้า / Product Details
TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET
For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.
คุณสมบัติ / Specifications
คุณสมบัติ | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.6 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Package Type | SOT-23 |
| Series | TrenchFET |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Length | 3.04mm |
| Width | 1.4mm |
| Height | 1.02mm |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |