N-Channel MOSFET, 9.2 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay Siliconix IRF520PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ผลิตภัณฑ์ที่เลิกผลิตแล้ว

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	9.2 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Package Type	TO-220AB
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	270 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	60 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Width	4.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs	16 nC @ 10 V
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Number of Elements per Chip	1
Length	10.52mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Forward Diode Voltage	1.8V
Height	15.85mm