N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCT30N120

RS Stock No.:: 168-8966
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCT30N120
ผู้ผลิต / Manufacturer:: STMicroelectronics

N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCT30N120

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 12/05/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)

เพิ่ม / Added

ราคา / Price Each (In a Tube of 30)

THB826.426

(exc. VAT)

THB884.276

(inc. VAT)

Units	Per unit	Per Tube*
30 - 30	THB826.426	THB24,792.78
60 - 90	THB808.46	THB24,253.80
120 +	THB790.494	THB23,714.82
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-8966
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCT30N120
ผู้ผลิต / Manufacturer:: STMicroelectronics

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

COO (Country of Origin):: CN

รายละเอียดสินค้า / Product Details

N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, STMicroelectronics

Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and compact systems.

For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	45 A
Maximum Drain Source Voltage	1200 V
Package Type	HiP247
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	100 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Power Dissipation	270 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-10 V, +25 V
Number of Elements per Chip	1
Width	5.15mm
Length	15.75mm
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+200 °C
Typical Gate Charge @ Vgs	105 nC @ 20 V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	20.15mm
Forward Diode Voltage	3.5V