- RS Stock No.:
- 168-4756
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFN110N60P3
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- IXYS
สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 11/12/2024, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)
เพิ่ม / Added
ราคา / Price Each (In a Tube of 10)
THB1,175.32
(exc. VAT)
THB1,257.59
(inc. VAT)
Units | Per unit | Per Tube* |
10 - 10 | THB1,175.32 | THB11,753.20 |
20 - 30 | THB1,140.059 | THB11,400.59 |
40 + | THB1,105.857 | THB11,058.57 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative |
- RS Stock No.:
- 168-4756
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFN110N60P3
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- IXYS
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
- COO (Country of Origin):
- US
รายละเอียดสินค้า / Product Details
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
คุณสมบัติ | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Package Type | SOT-227 |
Series | HiperFET, Polar3 |
Mounting Type | Screw Mount |
Pin Count | 4 |
Maximum Drain Source Resistance | 56 mΩ |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Power Dissipation | 1.5 kW |
Transistor Configuration | Single |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Number of Elements per Chip | 1 |
Length | 38.23mm |
Typical Gate Charge @ Vgs | 245 nC @ 10 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Width | 25.07mm |
Transistor Material | Si |
Height | 9.6mm |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |