N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN200N10P

RS Stock No.:: 168-4576
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFN200N10P
ผู้ผลิต / Manufacturer:: IXYS

N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN200N10P

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 02/05/2024, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)

เพิ่ม / Added

ราคา / Price Each (In a Tube of 10)

THB908.984

(exc. VAT)

THB972.613

(inc. VAT)

Units	Per unit	Per Tube*
10 - 10	THB908.984	THB9,089.84
20 - 30	THB881.715	THB8,817.15
40 +	THB855.264	THB8,552.64
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-4576
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFN200N10P
ผู้ผลิต / Manufacturer:: IXYS

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

COO (Country of Origin):: PH

รายละเอียดสินค้า / Product Details

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	200 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Package Type	SOT-227
Series	Polar HiPerFET
Mounting Type	Screw Mount
Pin Count	4
Maximum Drain Source Resistance	7.5 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Maximum Power Dissipation	680 W
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs	235 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Number of Elements per Chip	1
Width	25.07mm
Length	38.23mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	9.6mm
Forward Diode Voltage	1.5V